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防爆變頻器行業核心電子器件爭奪戰打響
發布時間：2013.10.08 已閱 次 [大] [中]
2011年，國內市場防爆變頻器供不應求，第一次出現比高壓變頻器增速快的現象，高壓變頻器則競爭進一步加劇。2012年，下半年隨著煤礦產業的低迷，出現大幅下滑。“通常，防爆變頻器的市場規模增長在10%-15%的水平，但2011年的增速首次超過了高壓變頻器，達到了30%的加速發展”，業內人士稱。
從總體上看，我國防爆變頻調速技術起步較晚，比歐美、日本等發達國家晚了10至15年。不過，有專家認為，由于目前中高端變頻器市場應用主要被歐美、日本品牌占據，從長期發展趨勢來講，有近80%的進口替代空間，中低壓將是變頻器未來爭奪的主戰場。
近年來，隨著變頻器行業的發展，防爆變頻器的核心電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關斷晶閘管)，經過BJT(雙極型功率晶體管)、SITH(靜電感應晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)，發展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)，器件的更新促使變頻器的應用領域更為廣泛，市場規模隨之迅速擴大。
“未來，防爆變頻器市場的爭奪比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。這是國內努力在IGBT上需求突破的原因。”
從總體上看，我國防爆變頻調速技術起步較晚，比歐美、日本等發達國家晚了10至15年。不過，有專家認為，由于目前中高端變頻器市場應用主要被歐美、日本品牌占據，從長期發展趨勢來講，有近80%的進口替代空間，中低壓將是變頻器未來爭奪的主戰場。
近年來，隨著變頻器行業的發展，防爆變頻器的核心電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關斷晶閘管)，經過BJT(雙極型功率晶體管)、SITH(靜電感應晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管)，發展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)，器件的更新促使變頻器的應用領域更為廣泛，市場規模隨之迅速擴大。
“未來，防爆變頻器市場的爭奪比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。這是國內努力在IGBT上需求突破的原因。”
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文本標簽： 淮南億進電子科技有限公司
