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防爆變頻器行業核心電子器件爭奪戰打響

發布時間:2013.10.08  已閱 次  [大] [中]
    2011年,國內市場防爆變頻器供不應求,第一次出現比高壓變頻器增速快的現象,高壓變頻器則競爭進一步加劇。2012年,下半年隨著煤礦產業的低迷,出現大幅下滑。“通常,防爆變頻器的市場規模增長在10%-15%的水平,但2011年的增速首次超過了高壓變頻器,達到了30%的加速發展”,業內人士稱。
 
    從總體上看,我國防爆變頻調速技術起步較晚,比歐美、日本等發達國家晚了10至15年。不過,有專家認為,由于目前中高端變頻器市場應用主要被歐美、日本品牌占據,從長期發展趨勢來講,有近80%的進口替代空間,中低壓將是變頻器未來爭奪的主戰場。
 
    近年來,隨著變頻器行業的發展,防爆變頻器的核心電子器件也從最初的SCR(晶閘管)、GTO(門極可關斷晶閘管),經過BJT(雙極型功率晶體管)、SITH(靜電感應晶閘管)、MGT(MOS控制晶體管)、MCT(MOS控制晶閘管),發展到今天的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管),器件的更新促使變頻器的應用領域更為廣泛,市場規模隨之迅速擴大。
   
“未來,防爆變頻器市場的爭奪比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。這是國內努力在IGBT上需求突破的原因。”
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